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SK海力士1bnm DDR5 DRAM開始進行驗證：采用HKMG工藝，功耗降低20% 世界觀速訊

2023-05-30 20:28:03 來源：超能網(wǎng)


(資料圖片僅供參考)

SK海力士宣布，已經(jīng)完成了現(xiàn)有DRAM中最為微細化的1bnm（第五代10nm級別）的技術研發(fā)，并將適用其技術的DDR5服務器DRAM開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program）”，這是英特爾第四代至強可擴展平臺（代號Sapphire Rapids）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認證流程。

這次SK海力士提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度為6.4Gbps，也是同類產(chǎn)品里速率最高的，與初期的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提高了33%。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工藝，相比1αnm（第四代10nm級別）工藝的產(chǎn)品，功耗降低了20%。

SK海力士表示，1bnm工藝技術的成功研發(fā)，意味著可以向全球客戶供應高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。SK海力士希望今年開始量產(chǎn)最先進的1bnm工藝技術產(chǎn)品，以業(yè)界最高DRAM競爭力水平改善今年下半年業(yè)績。此外，SK海力士還打算將1bnm工藝技術擴展到LPDDR5T、HBM3E等高性能產(chǎn)品。

近期SK海力士的財務狀況并不好，上個月公布的2023財年第一財季財務報告顯示，因存儲器半導體市場持續(xù)低迷，需求疲軟和產(chǎn)品價格下跌，該季度營收環(huán)比減少，且營業(yè)虧損加大。為此SK海力士決定以DDR5服務器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176層NAND的SSD、uMCP產(chǎn)品為中心的銷售，以提升營業(yè)收入。

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